دیتاشیت STP4N150
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
STP4N150
|
| حجم فایل |
65.285
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
15
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
STMicroelectronics STP4N150
-
Power Dissipation (Pd):
160W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
50nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
1.5kV
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
1300pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
4A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
5V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
7Ω@10V,2A
-
Package:
TO-220
-
Manufacturer:
STMicroelectronics
